传三星拟下半年开始3纳米工艺试产
据韩媒报道，三星位于平泽的P3工厂建设传出新进展，预计将于今年夏天安装生产设备，下半年开始第一代3纳米工艺（3GAE）的试生产
韩媒称，三星电子的3纳米工艺采用环栅 (GAA) 技术，又分为第一代3GAE和第二代3GAP。在3GAE工艺下，相比7纳米FinFET，功耗降低50%，芯片面积减少45%，性能可提升35%。（乐川）
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- 编辑：马可
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