三星确认解决良率问题，3nm GAA工艺本季度量产

集微网消息，据韩媒报道，三星在第一季度财报电话会议中表示，目前已解决3nm 良率问题，3nm GAA 制程将在第二季度量产。

三星半导体代工事业部副总裁表示，预计二季度半导体代工市场仍将延续供不应求的局面，三星将继续提高先进制程良品率率，积极响应大客户需求，努力扩大供应和增加全球客户订单。此外，公司计划在第二季度完成第一代GAA工艺质量验证并在行业内首次实现量产，以确保技术领先于竞争对手。

其称，其中5nm 工艺已经进入批量生产的成熟阶段，而 4nm 芯片的产能将很快开始改善，通过改善 3nm 制程的节点开发体系，三星现在对每个开发阶段都有一个验证流程。

此外他还补充，下半年存在增长放缓、世界形势不稳定等不确定因素，但受5G占比提升、HPC需求旺盛等因素影响，预计代工供应短缺仍将持续。公司的目标是通过提高第一代GAA工艺的良率和稳定生产来扩大技术差距，实现下半年超越市场增长率的增长，同时缩短产量爬坡期，提高盈利能力，并确保更稳定的供应。

此前台媒曾报道称，三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率，该工艺良率刚刚达到10%至20%之间，三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意，仅为30%-35%。

市场消息人士认为，三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称，三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产。

该消息人士指出，台积电在转向GAA晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电极有可能拥有基于GAA的2nm，目标是在2025年投产。

（校对/holly）

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